Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM830DTRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Číslo dílu
IRFHM830DTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1797pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36861 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM830DTRPBF
IRFHM830DTRPBF Elektronické komponenty
IRFHM830DTRPBF Odbyt
IRFHM830DTRPBF Dodavatel
IRFHM830DTRPBF Distributor
IRFHM830DTRPBF Datová tabulka
IRFHM830DTRPBF Fotky
IRFHM830DTRPBF Cena
IRFHM830DTRPBF Nabídka
IRFHM830DTRPBF Nejnižší cena
IRFHM830DTRPBF Vyhledávání
IRFHM830DTRPBF Nákup
IRFHM830DTRPBF Chip