Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM830TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Číslo dílu
IRFHM830TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43441 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM830TR2PBF
IRFHM830TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM830TR2PBF Odbyt
IRFHM830TR2PBF Dodavatel
IRFHM830TR2PBF Distributor
IRFHM830TR2PBF Datová tabulka
IRFHM830TR2PBF Fotky
IRFHM830TR2PBF Cena
IRFHM830TR2PBF Nabídka
IRFHM830TR2PBF Nejnižší cena
IRFHM830TR2PBF Vyhledávání
IRFHM830TR2PBF Nákup
IRFHM830TR2PBF Chip