IRFHM831TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Číslo dílu
IRFHM831TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54956 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM831TR2PBF
IRFHM831TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM831TR2PBF Odbyt
IRFHM831TR2PBF Dodavatel
IRFHM831TR2PBF Distributor
IRFHM831TR2PBF Datová tabulka
IRFHM831TR2PBF Fotky
IRFHM831TR2PBF Cena
IRFHM831TR2PBF Nabídka
IRFHM831TR2PBF Nejnižší cena
IRFHM831TR2PBF Vyhledávání
IRFHM831TR2PBF Nákup
IRFHM831TR2PBF Chip