Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFHM8363TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Číslo dílu
IRFHM8363TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Výkon - Max
2.7W
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1165pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14841 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM8363TR2PBF
IRFHM8363TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM8363TR2PBF Odbyt
IRFHM8363TR2PBF Dodavatel
IRFHM8363TR2PBF Distributor
IRFHM8363TR2PBF Datová tabulka
IRFHM8363TR2PBF Fotky
IRFHM8363TR2PBF Cena
IRFHM8363TR2PBF Nabídka
IRFHM8363TR2PBF Nejnižší cena
IRFHM8363TR2PBF Vyhledávání
IRFHM8363TR2PBF Nákup
IRFHM8363TR2PBF Chip