IRFHM9331TR2PBF
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Číslo dílu
IRFHM9331TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1543pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V, 20V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45054 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFHM9331TR2PBF
IRFHM9331TR2PBF Elektronické komponenty
IRFHM9331TR2PBF Odbyt
IRFHM9331TR2PBF Dodavatel
IRFHM9331TR2PBF Distributor
IRFHM9331TR2PBF Datová tabulka
IRFHM9331TR2PBF Fotky
IRFHM9331TR2PBF Cena
IRFHM9331TR2PBF Nabídka
IRFHM9331TR2PBF Nejnižší cena
IRFHM9331TR2PBF Vyhledávání
IRFHM9331TR2PBF Nákup
IRFHM9331TR2PBF Chip