Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Číslo dílu
IRFL014NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6862 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFL014NPBF
IRFL014NPBF Elektronické komponenty
IRFL014NPBF Odbyt
IRFL014NPBF Dodavatel
IRFL014NPBF Distributor
IRFL014NPBF Datová tabulka
IRFL014NPBF Fotky
IRFL014NPBF Cena
IRFL014NPBF Nabídka
IRFL014NPBF Nejnižší cena
IRFL014NPBF Vyhledávání
IRFL014NPBF Nákup
IRFL014NPBF Chip