Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Číslo dílu
IRFL014NTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9918 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF Elektronické komponenty
IRFL014NTRPBF Odbyt
IRFL014NTRPBF Dodavatel
IRFL014NTRPBF Distributor
IRFL014NTRPBF Datová tabulka
IRFL014NTRPBF Fotky
IRFL014NTRPBF Cena
IRFL014NTRPBF Nabídka
IRFL014NTRPBF Nejnižší cena
IRFL014NTRPBF Vyhledávání
IRFL014NTRPBF Nákup
IRFL014NTRPBF Chip