Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Číslo dílu
IRFS17N20D
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12634 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS17N20D
IRFS17N20D Elektronické komponenty
IRFS17N20D Odbyt
IRFS17N20D Dodavatel
IRFS17N20D Distributor
IRFS17N20D Datová tabulka
IRFS17N20D Fotky
IRFS17N20D Cena
IRFS17N20D Nabídka
IRFS17N20D Nejnižší cena
IRFS17N20D Vyhledávání
IRFS17N20D Nákup
IRFS17N20D Chip