Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Číslo dílu
IRFS11N50APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23762 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS11N50APBF
IRFS11N50APBF Elektronické komponenty
IRFS11N50APBF Odbyt
IRFS11N50APBF Dodavatel
IRFS11N50APBF Distributor
IRFS11N50APBF Datová tabulka
IRFS11N50APBF Fotky
IRFS11N50APBF Cena
IRFS11N50APBF Nabídka
IRFS11N50APBF Nejnižší cena
IRFS11N50APBF Vyhledávání
IRFS11N50APBF Nákup
IRFS11N50APBF Chip