IRFS3006TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFS3006TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14234 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS3006TRLPBF
IRFS3006TRLPBF Elektronické komponenty
IRFS3006TRLPBF Odbyt
IRFS3006TRLPBF Dodavatel
IRFS3006TRLPBF Distributor
IRFS3006TRLPBF Datová tabulka
IRFS3006TRLPBF Fotky
IRFS3006TRLPBF Cena
IRFS3006TRLPBF Nabídka
IRFS3006TRLPBF Nejnižší cena
IRFS3006TRLPBF Vyhledávání
IRFS3006TRLPBF Nákup
IRFS3006TRLPBF Chip