IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Číslo dílu
IRFS4229TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12426 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS4229TRLPBF
IRFS4229TRLPBF Elektronické komponenty
IRFS4229TRLPBF Odbyt
IRFS4229TRLPBF Dodavatel
IRFS4229TRLPBF Distributor
IRFS4229TRLPBF Datová tabulka
IRFS4229TRLPBF Fotky
IRFS4229TRLPBF Cena
IRFS4229TRLPBF Nabídka
IRFS4229TRLPBF Nejnižší cena
IRFS4229TRLPBF Vyhledávání
IRFS4229TRLPBF Nákup
IRFS4229TRLPBF Chip