Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFS5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Číslo dílu
IRFS5620PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
77.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54935 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFS5620PBF
IRFS5620PBF Elektronické komponenty
IRFS5620PBF Odbyt
IRFS5620PBF Dodavatel
IRFS5620PBF Distributor
IRFS5620PBF Datová tabulka
IRFS5620PBF Fotky
IRFS5620PBF Cena
IRFS5620PBF Nabídka
IRFS5620PBF Nejnižší cena
IRFS5620PBF Vyhledávání
IRFS5620PBF Nákup
IRFS5620PBF Chip