Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
Číslo dílu
IRFSL4115PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.1 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5270pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42541 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4115PBF
IRFSL4115PBF Elektronické komponenty
IRFSL4115PBF Odbyt
IRFSL4115PBF Dodavatel
IRFSL4115PBF Distributor
IRFSL4115PBF Datová tabulka
IRFSL4115PBF Fotky
IRFSL4115PBF Cena
IRFSL4115PBF Nabídka
IRFSL4115PBF Nejnižší cena
IRFSL4115PBF Vyhledávání
IRFSL4115PBF Nákup
IRFSL4115PBF Chip