Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4229PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44033 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4229PBF
IRFSL4229PBF Elektronické komponenty
IRFSL4229PBF Odbyt
IRFSL4229PBF Dodavatel
IRFSL4229PBF Distributor
IRFSL4229PBF Datová tabulka
IRFSL4229PBF Fotky
IRFSL4229PBF Cena
IRFSL4229PBF Nabídka
IRFSL4229PBF Nejnižší cena
IRFSL4229PBF Vyhledávání
IRFSL4229PBF Nákup
IRFSL4229PBF Chip