Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4310PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7670pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41345 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4310PBF
IRFSL4310PBF Elektronické komponenty
IRFSL4310PBF Odbyt
IRFSL4310PBF Dodavatel
IRFSL4310PBF Distributor
IRFSL4310PBF Datová tabulka
IRFSL4310PBF Fotky
IRFSL4310PBF Cena
IRFSL4310PBF Nabídka
IRFSL4310PBF Nejnižší cena
IRFSL4310PBF Vyhledávání
IRFSL4310PBF Nákup
IRFSL4310PBF Chip