Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4410PBF

IRFSL4410PBF

MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29324 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRFSL4410PBF
IRFSL4410PBF Elektronické komponenty
IRFSL4410PBF Odbyt
IRFSL4410PBF Dodavatel
IRFSL4410PBF Distributor
IRFSL4410PBF Datová tabulka
IRFSL4410PBF Fotky
IRFSL4410PBF Cena
IRFSL4410PBF Nabídka
IRFSL4410PBF Nejnižší cena
IRFSL4410PBF Vyhledávání
IRFSL4410PBF Nákup
IRFSL4410PBF Chip