Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL8113L
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
Číslo dílu
IRL8113L
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39433 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL8113L
IRL8113L Elektronické komponenty
IRL8113L Odbyt
IRL8113L Dodavatel
IRL8113L Distributor
IRL8113L Datová tabulka
IRL8113L Fotky
IRL8113L Cena
IRL8113L Nabídka
IRL8113L Nejnižší cena
IRL8113L Vyhledávání
IRL8113L Nákup
IRL8113L Chip