Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL8113PBF
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
Číslo dílu
IRL8113PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44617 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL8113PBF
IRL8113PBF Elektronické komponenty
IRL8113PBF Odbyt
IRL8113PBF Dodavatel
IRL8113PBF Distributor
IRL8113PBF Datová tabulka
IRL8113PBF Fotky
IRL8113PBF Cena
IRL8113PBF Nabídka
IRL8113PBF Nejnižší cena
IRL8113PBF Vyhledávání
IRL8113PBF Nákup
IRL8113PBF Chip