Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL8113STRR
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Číslo dílu
IRL8113STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45696 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL8113STRR
IRL8113STRR Elektronické komponenty
IRL8113STRR Odbyt
IRL8113STRR Dodavatel
IRL8113STRR Distributor
IRL8113STRR Datová tabulka
IRL8113STRR Fotky
IRL8113STRR Cena
IRL8113STRR Nabídka
IRL8113STRR Nejnižší cena
IRL8113STRR Vyhledávání
IRL8113STRR Nákup
IRL8113STRR Chip