Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLH5030TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Číslo dílu
IRLH5030TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (5x6) Single Die
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28195 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLH5030TR2PBF
IRLH5030TR2PBF Elektronické komponenty
IRLH5030TR2PBF Odbyt
IRLH5030TR2PBF Dodavatel
IRLH5030TR2PBF Distributor
IRLH5030TR2PBF Datová tabulka
IRLH5030TR2PBF Fotky
IRLH5030TR2PBF Cena
IRLH5030TR2PBF Nabídka
IRLH5030TR2PBF Nejnižší cena
IRLH5030TR2PBF Vyhledávání
IRLH5030TR2PBF Nákup
IRLH5030TR2PBF Chip