IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Číslo dílu
IRLH5030TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PQFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48227 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF Elektronické komponenty
IRLH5030TRPBF Odbyt
IRLH5030TRPBF Dodavatel
IRLH5030TRPBF Distributor
IRLH5030TRPBF Datová tabulka
IRLH5030TRPBF Fotky
IRLH5030TRPBF Cena
IRLH5030TRPBF Nabídka
IRLH5030TRPBF Nejnižší cena
IRLH5030TRPBF Vyhledávání
IRLH5030TRPBF Nákup
IRLH5030TRPBF Chip