Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLHM620TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Číslo dílu
IRLHM620TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12273 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHM620TR2PBF
IRLHM620TR2PBF Elektronické komponenty
IRLHM620TR2PBF Odbyt
IRLHM620TR2PBF Dodavatel
IRLHM620TR2PBF Distributor
IRLHM620TR2PBF Datová tabulka
IRLHM620TR2PBF Fotky
IRLHM620TR2PBF Cena
IRLHM620TR2PBF Nabídka
IRLHM620TR2PBF Nejnižší cena
IRLHM620TR2PBF Vyhledávání
IRLHM620TR2PBF Nákup
IRLHM620TR2PBF Chip