IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Číslo dílu
IRLHM620TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14181 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF Elektronické komponenty
IRLHM620TRPBF Odbyt
IRLHM620TRPBF Dodavatel
IRLHM620TRPBF Distributor
IRLHM620TRPBF Datová tabulka
IRLHM620TRPBF Fotky
IRLHM620TRPBF Cena
IRLHM620TRPBF Nabídka
IRLHM620TRPBF Nejnižší cena
IRLHM620TRPBF Vyhledávání
IRLHM620TRPBF Nákup
IRLHM620TRPBF Chip