IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Číslo dílu
IRLHM630TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11800 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHM630TR2PBF
IRLHM630TR2PBF Elektronické komponenty
IRLHM630TR2PBF Odbyt
IRLHM630TR2PBF Dodavatel
IRLHM630TR2PBF Distributor
IRLHM630TR2PBF Datová tabulka
IRLHM630TR2PBF Fotky
IRLHM630TR2PBF Cena
IRLHM630TR2PBF Nabídka
IRLHM630TR2PBF Nejnižší cena
IRLHM630TR2PBF Vyhledávání
IRLHM630TR2PBF Nákup
IRLHM630TR2PBF Chip