Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Číslo dílu
IRLHM630TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VQFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
PQFN (3x3)
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7526 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF Elektronické komponenty
IRLHM630TRPBF Odbyt
IRLHM630TRPBF Dodavatel
IRLHM630TRPBF Distributor
IRLHM630TRPBF Datová tabulka
IRLHM630TRPBF Fotky
IRLHM630TRPBF Cena
IRLHM630TRPBF Nabídka
IRLHM630TRPBF Nejnižší cena
IRLHM630TRPBF Vyhledávání
IRLHM630TRPBF Nákup
IRLHM630TRPBF Chip