IRLHS6342TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Číslo dílu
IRLHS6342TR2PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1019pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF Elektronické komponenty
IRLHS6342TR2PBF Odbyt
IRLHS6342TR2PBF Dodavatel
IRLHS6342TR2PBF Distributor
IRLHS6342TR2PBF Datová tabulka
IRLHS6342TR2PBF Fotky
IRLHS6342TR2PBF Cena
IRLHS6342TR2PBF Nabídka
IRLHS6342TR2PBF Nejnižší cena
IRLHS6342TR2PBF Vyhledávání
IRLHS6342TR2PBF Nákup
IRLHS6342TR2PBF Chip