Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR014NPBF
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Číslo dílu
IRLR014NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
265pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24764 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR014NPBF
IRLR014NPBF Elektronické komponenty
IRLR014NPBF Odbyt
IRLR014NPBF Dodavatel
IRLR014NPBF Distributor
IRLR014NPBF Datová tabulka
IRLR014NPBF Fotky
IRLR014NPBF Cena
IRLR014NPBF Nabídka
IRLR014NPBF Nejnižší cena
IRLR014NPBF Vyhledávání
IRLR014NPBF Nákup
IRLR014NPBF Chip