Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Číslo dílu
IRLR014PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35712 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR014PBF
IRLR014PBF Elektronické komponenty
IRLR014PBF Odbyt
IRLR014PBF Dodavatel
IRLR014PBF Distributor
IRLR014PBF Datová tabulka
IRLR014PBF Fotky
IRLR014PBF Cena
IRLR014PBF Nabídka
IRLR014PBF Nejnižší cena
IRLR014PBF Vyhledávání
IRLR014PBF Nákup
IRLR014PBF Chip