IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
IRLR120NTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26493 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF Elektronické komponenty
IRLR120NTRPBF Odbyt
IRLR120NTRPBF Dodavatel
IRLR120NTRPBF Distributor
IRLR120NTRPBF Datová tabulka
IRLR120NTRPBF Fotky
IRLR120NTRPBF Cena
IRLR120NTRPBF Nabídka
IRLR120NTRPBF Nejnižší cena
IRLR120NTRPBF Vyhledávání
IRLR120NTRPBF Nákup
IRLR120NTRPBF Chip