Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR2905Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41223 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2905Z
IRLR2905Z Elektronické komponenty
IRLR2905Z Odbyt
IRLR2905Z Dodavatel
IRLR2905Z Distributor
IRLR2905Z Datová tabulka
IRLR2905Z Fotky
IRLR2905Z Cena
IRLR2905Z Nabídka
IRLR2905Z Nejnižší cena
IRLR2905Z Vyhledávání
IRLR2905Z Nákup
IRLR2905Z Chip