Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2908PBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Číslo dílu
IRLR2908PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50686 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2908PBF
IRLR2908PBF Elektronické komponenty
IRLR2908PBF Odbyt
IRLR2908PBF Dodavatel
IRLR2908PBF Distributor
IRLR2908PBF Datová tabulka
IRLR2908PBF Fotky
IRLR2908PBF Cena
IRLR2908PBF Nabídka
IRLR2908PBF Nejnižší cena
IRLR2908PBF Vyhledávání
IRLR2908PBF Nákup
IRLR2908PBF Chip