Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3103TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Číslo dílu
IRLR3103TRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41909 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3103TRRPBF
IRLR3103TRRPBF Elektronické komponenty
IRLR3103TRRPBF Odbyt
IRLR3103TRRPBF Dodavatel
IRLR3103TRRPBF Distributor
IRLR3103TRRPBF Datová tabulka
IRLR3103TRRPBF Fotky
IRLR3103TRRPBF Cena
IRLR3103TRRPBF Nabídka
IRLR3103TRRPBF Nejnižší cena
IRLR3103TRRPBF Vyhledávání
IRLR3103TRRPBF Nákup
IRLR3103TRRPBF Chip