Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3110ZPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR3110ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11404 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3110ZPBF
IRLR3110ZPBF Elektronické komponenty
IRLR3110ZPBF Odbyt
IRLR3110ZPBF Dodavatel
IRLR3110ZPBF Distributor
IRLR3110ZPBF Datová tabulka
IRLR3110ZPBF Fotky
IRLR3110ZPBF Cena
IRLR3110ZPBF Nabídka
IRLR3110ZPBF Nejnižší cena
IRLR3110ZPBF Vyhledávání
IRLR3110ZPBF Nákup
IRLR3110ZPBF Chip