Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Číslo dílu
IRLR3303PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26599 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3303PBF
IRLR3303PBF Elektronické komponenty
IRLR3303PBF Odbyt
IRLR3303PBF Dodavatel
IRLR3303PBF Distributor
IRLR3303PBF Datová tabulka
IRLR3303PBF Fotky
IRLR3303PBF Cena
IRLR3303PBF Nabídka
IRLR3303PBF Nejnižší cena
IRLR3303PBF Vyhledávání
IRLR3303PBF Nákup
IRLR3303PBF Chip