Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3636PBF
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Číslo dílu
IRLR3636PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43820 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3636PBF
IRLR3636PBF Elektronické komponenty
IRLR3636PBF Odbyt
IRLR3636PBF Dodavatel
IRLR3636PBF Distributor
IRLR3636PBF Datová tabulka
IRLR3636PBF Fotky
IRLR3636PBF Cena
IRLR3636PBF Nabídka
IRLR3636PBF Nejnižší cena
IRLR3636PBF Vyhledávání
IRLR3636PBF Nákup
IRLR3636PBF Chip