Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3714PBF
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Číslo dílu
IRLR3714PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35809 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3714PBF
IRLR3714PBF Elektronické komponenty
IRLR3714PBF Odbyt
IRLR3714PBF Dodavatel
IRLR3714PBF Distributor
IRLR3714PBF Datová tabulka
IRLR3714PBF Fotky
IRLR3714PBF Cena
IRLR3714PBF Nabídka
IRLR3714PBF Nejnižší cena
IRLR3714PBF Vyhledávání
IRLR3714PBF Nákup
IRLR3714PBF Chip