Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3715Z

IRLR3715Z

MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
Číslo dílu
IRLR3715Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29073 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRLR3715Z
IRLR3715Z Elektronické komponenty
IRLR3715Z Odbyt
IRLR3715Z Dodavatel
IRLR3715Z Distributor
IRLR3715Z Datová tabulka
IRLR3715Z Fotky
IRLR3715Z Cena
IRLR3715Z Nabídka
IRLR3715Z Nejnižší cena
IRLR3715Z Vyhledávání
IRLR3715Z Nákup
IRLR3715Z Chip