Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Číslo dílu
IRLR8113PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2920pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8113PBF
IRLR8113PBF Elektronické komponenty
IRLR8113PBF Odbyt
IRLR8113PBF Dodavatel
IRLR8113PBF Distributor
IRLR8113PBF Datová tabulka
IRLR8113PBF Fotky
IRLR8113PBF Cena
IRLR8113PBF Nabídka
IRLR8113PBF Nejnižší cena
IRLR8113PBF Vyhledávání
IRLR8113PBF Nákup
IRLR8113PBF Chip