Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8729PBF
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Číslo dílu
IRLR8729PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46801 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8729PBF
IRLR8729PBF Elektronické komponenty
IRLR8729PBF Odbyt
IRLR8729PBF Dodavatel
IRLR8729PBF Distributor
IRLR8729PBF Datová tabulka
IRLR8729PBF Fotky
IRLR8729PBF Cena
IRLR8729PBF Nabídka
IRLR8729PBF Nejnižší cena
IRLR8729PBF Vyhledávání
IRLR8729PBF Nákup
IRLR8729PBF Chip