Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Číslo dílu
IXFA12N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34561 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA12N50P
IXFA12N50P Elektronické komponenty
IXFA12N50P Odbyt
IXFA12N50P Dodavatel
IXFA12N50P Distributor
IXFA12N50P Datová tabulka
IXFA12N50P Fotky
IXFA12N50P Cena
IXFA12N50P Nabídka
IXFA12N50P Nejnižší cena
IXFA12N50P Vyhledávání
IXFA12N50P Nákup
IXFA12N50P Chip