Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFA12N65X2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AA
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1134pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13070 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA12N65X2
IXFA12N65X2 Elektronické komponenty
IXFA12N65X2 Odbyt
IXFA12N65X2 Dodavatel
IXFA12N65X2 Distributor
IXFA12N65X2 Datová tabulka
IXFA12N65X2 Fotky
IXFA12N65X2 Cena
IXFA12N65X2 Nabídka
IXFA12N65X2 Nejnižší cena
IXFA12N65X2 Vyhledávání
IXFA12N65X2 Nákup
IXFA12N65X2 Chip