Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA180N10T2
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
Číslo dílu
IXFA180N10T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9520 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA180N10T2
IXFA180N10T2 Elektronické komponenty
IXFA180N10T2 Odbyt
IXFA180N10T2 Dodavatel
IXFA180N10T2 Distributor
IXFA180N10T2 Datová tabulka
IXFA180N10T2 Fotky
IXFA180N10T2 Cena
IXFA180N10T2 Nabídka
IXFA180N10T2 Nejnižší cena
IXFA180N10T2 Vyhledávání
IXFA180N10T2 Nákup
IXFA180N10T2 Chip