Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
Číslo dílu
IXFA34N65X2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AA
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45331 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA34N65X2
IXFA34N65X2 Elektronické komponenty
IXFA34N65X2 Odbyt
IXFA34N65X2 Dodavatel
IXFA34N65X2 Distributor
IXFA34N65X2 Datová tabulka
IXFA34N65X2 Fotky
IXFA34N65X2 Cena
IXFA34N65X2 Nabídka
IXFA34N65X2 Nejnižší cena
IXFA34N65X2 Vyhledávání
IXFA34N65X2 Nákup
IXFA34N65X2 Chip