IXFA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Číslo dílu
IXFA3N120TRL
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42944 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL Elektronické komponenty
IXFA3N120TRL Odbyt
IXFA3N120TRL Dodavatel
IXFA3N120TRL Distributor
IXFA3N120TRL Datová tabulka
IXFA3N120TRL Fotky
IXFA3N120TRL Cena
IXFA3N120TRL Nabídka
IXFA3N120TRL Nejnižší cena
IXFA3N120TRL Vyhledávání
IXFA3N120TRL Nákup
IXFA3N120TRL Chip