Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Číslo dílu
IXFA6N120P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35617 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA6N120P
IXFA6N120P Elektronické komponenty
IXFA6N120P Odbyt
IXFA6N120P Dodavatel
IXFA6N120P Distributor
IXFA6N120P Datová tabulka
IXFA6N120P Fotky
IXFA6N120P Cena
IXFA6N120P Nabídka
IXFA6N120P Nejnižší cena
IXFA6N120P Vyhledávání
IXFA6N120P Nákup
IXFA6N120P Chip