Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA7N100P

IXFA7N100P

MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
Číslo dílu
IXFA7N100P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2590pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22849 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFA7N100P
IXFA7N100P Elektronické komponenty
IXFA7N100P Odbyt
IXFA7N100P Dodavatel
IXFA7N100P Distributor
IXFA7N100P Datová tabulka
IXFA7N100P Fotky
IXFA7N100P Cena
IXFA7N100P Nabídka
IXFA7N100P Nejnižší cena
IXFA7N100P Vyhledávání
IXFA7N100P Nákup
IXFA7N100P Chip