Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA8N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
Číslo dílu
IXFA8N50P3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXFA)
Ztráta energie (max.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
705pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49197 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA8N50P3
IXFA8N50P3 Elektronické komponenty
IXFA8N50P3 Odbyt
IXFA8N50P3 Dodavatel
IXFA8N50P3 Distributor
IXFA8N50P3 Datová tabulka
IXFA8N50P3 Fotky
IXFA8N50P3 Cena
IXFA8N50P3 Nabídka
IXFA8N50P3 Nejnižší cena
IXFA8N50P3 Vyhledávání
IXFA8N50P3 Nákup
IXFA8N50P3 Chip