Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFA8N85XHV
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Číslo dílu
IXFA8N85XHV
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263HV
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
850V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
654pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV Elektronické komponenty
IXFA8N85XHV Odbyt
IXFA8N85XHV Dodavatel
IXFA8N85XHV Distributor
IXFA8N85XHV Datová tabulka
IXFA8N85XHV Fotky
IXFA8N85XHV Cena
IXFA8N85XHV Nabídka
IXFA8N85XHV Nejnižší cena
IXFA8N85XHV Vyhledávání
IXFA8N85XHV Nákup
IXFA8N85XHV Chip