Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Číslo dílu
IXFB100N50Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS264™
Ztráta energie (max.)
1560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16111 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFB100N50Q3
IXFB100N50Q3 Elektronické komponenty
IXFB100N50Q3 Odbyt
IXFB100N50Q3 Dodavatel
IXFB100N50Q3 Distributor
IXFB100N50Q3 Datová tabulka
IXFB100N50Q3 Fotky
IXFB100N50Q3 Cena
IXFB100N50Q3 Nabídka
IXFB100N50Q3 Nejnižší cena
IXFB100N50Q3 Vyhledávání
IXFB100N50Q3 Nákup
IXFB100N50Q3 Chip