Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFB110N60P3
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Číslo dílu
IXFB110N60P3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS264™
Ztráta energie (max.)
1890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
245nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7133 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFB110N60P3
IXFB110N60P3 Elektronické komponenty
IXFB110N60P3 Odbyt
IXFB110N60P3 Dodavatel
IXFB110N60P3 Distributor
IXFB110N60P3 Datová tabulka
IXFB110N60P3 Fotky
IXFB110N60P3 Cena
IXFB110N60P3 Nabídka
IXFB110N60P3 Nejnižší cena
IXFB110N60P3 Vyhledávání
IXFB110N60P3 Nákup
IXFB110N60P3 Chip